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DPAD1

更新时间： 2024-02-18 08:54:01

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Linear Systems		二极管
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2页	195K
描述
MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES

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DPAD1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.5 V
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	2
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	最大反向电流：
反向测试电压：	20 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

DPAD1 数据手册

DPAD SERIES

MONOLITHIC DUAL

Linear Integrated Systems

PICO AMPERE DIODES

FEATURES

Direct Replacement For SILICONIX DPAD SERIES

HIGH ON ISOLATION

DPAD1

DPAD

20fA

TO-72

TO-78

EXCELLENT CAPACITANCE MATCHING

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

@ 25 °C (unless otherwise stated)

Maximum Temperatures

∆C_R≤ 0.2pF

BOTTOM VIEW

Storage Temperature

-65 to +150 °C

-55 to +135 °C

SSTDPAD

Operating Junction Temperature

Maximum Power Dissipation

Continuous Power Dissipation (DPAD)

Maximum Currents

SOIC

500mW

50mA

Forward Current (DPAD)

COMMON ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

SYMBOL

CHARACTERISTIC

MIN TYP MAX UNITS CONDITIONS

DPAD1

DPAD2,5,10,20,50,100 -45

SSTDPAD5,50,100

-45

Reverse Breakdown

Voltage

BV_R

I_R= -1µA

I_F= 1mA

-30

V_F

Forward Voltage

0.8

1.5

0.2

0.5

0.8

2.0

4.0

DPAD1

ALL OTHERS

DPAD1

DPAD2,5,10,20,50,100

SSTDPAD5,50,100

Differential Capacitance

|C_R1-C_R2|

V_R1= V_R2= -5V, f = 1MHz

(∆C_R)

C_rss

Total Reverse Capacitance

V_R= -5V, f = 1MHz

CONDITIONS

V_R= -20V

SPECIFIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

SYMBOL CHARACTERISTIC

DPAD²

-1

SSTDPAD²

UNITS

(SST)DPAD1

(SST)DPAD2

(SST)DPAD5

(SST)DPAD10

(SST)DPAD20

(SST)DPAD50

(SST)DPAD100

-2

-5

Maximum Reverse

I_R

-10

-20

-50

-100

Leakage Current²

-50

-100

Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261

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