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DMP26M1UPS

更新时间： 2023-12-06 20:11:46
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美台 - DIODES /
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描述
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP26M1UPS  
0.012  
0.01  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
ID = -1mA  
0.008  
0.006  
0.004  
0.002  
0
VGS = -2.5V, ID = -10A  
ID = -250μA  
VGS = -4.5V, ID = -15A  
-50 -25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
-50 -25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (℃)  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (℃)  
Figure 7. On-Resistance Variation with Junction  
Temperature  
Figure 8. Gate Threshold Variation vs. Junction  
Temperature  
100000  
10000  
1000  
30  
25  
20  
15  
10  
5
VGS = 0V  
f=1MHz  
Ciss  
TJ = 125℃  
Coss  
Crss  
TJ = 85℃  
TJ = 150℃  
TJ = 25℃  
TJ = -55℃  
0
100  
0
0.3  
0.6  
0.9  
1.2  
1.5  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
VSD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)  
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 10. Typical Junction Capacitance  
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current  
1000  
100  
10  
10  
8
PW =1µs  
RDS(ON) Limited  
6
PW =10µs  
PW =100µs  
PW =1ms  
PW =10ms  
PW =100ms  
4
VDS = -10V, ID = -20A  
1
TJ(Max) = 150℃ TC = 25℃  
Single Pulse  
2
DC  
DUT on 1*MRP Board  
V
GS= -4.5V  
0.1  
0
0.1  
1
10  
100  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160 180  
Qg (nC)  
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 12. SOA, Safe Operation Area  
Figure 11. Gate Charge  
4 of 7  
www.diodes.com  
October 2020  
© Diodes Incorporated  
DMP26M1UPS  
Document number: DS41930 Rev. 3 - 2  
1234567

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