DI13001N
DI13001N
IC
= 0.25 A
VCES = 700 V
Ptot = 1 W
hFE > 10
Tjmax = 150°C
SMD High Voltage NPN Transistors
SMD Hochspannungs-NPN-Transistoren
Version 2019-11-21
Typical Applications
Signal processing,
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
SOT-223
Switching, Amplification
Commercial grade
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
6.5±0.2
3±0.1
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
1.65
Features
Besonderheiten
4
High collector emitter voltage
Low saturation voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Hohe Kollektor-Emitterspannung
Type
Code
Niedrige Sättigungsspannung
R
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
V
Konfliktmineralien 1)
3
1
2
0.7
2.3
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
3.25
Taped and reeled
2500 / 13“
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Weight approx.
0.04 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
1 = B 2/4 = C 3 = E
Case material
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
DI13001N
700 V
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
B-E short
B open
VCES
400 V
VCEO
VEBO
C open
9 V
Power dissipation
Verlustleistung
Ptot
1 W 3)
Collector current – Kollektorstrom
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom
DC
IC
ICM
IB
0.25 A
0.5 A
t < 5 ms
DC
100 mA
200 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
t < 5 ms
IBM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 100 mm2 copper pad at collector terminal 4
2
3
Montage auf Leiterplatte mit 100 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss 4
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1