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DI13001N-Q

更新时间: 2024-02-20 00:43:52
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC /
页数 文件大小 规格书
2页 163K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

DI13001N-Q 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75Base Number Matches:1

DI13001N-Q 数据手册

 浏览型号DI13001N-Q的Datasheet PDF文件第2页 
DI13001N  
DI13001N  
IC  
= 0.25 A  
VCES = 700 V  
Ptot = 1 W  
hFE > 10  
Tjmax = 150°C  
SMD High Voltage NPN Transistors  
SMD Hochspannungs-NPN-Transistoren  
Version 2019-11-21  
Typical Applications  
Signal processing,  
Typische Anwendungen  
Signalverarbeitung,  
SOT-223  
Switching, Amplification  
Commercial grade  
Schalten, Verstärken  
Standardausführung  
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)  
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)  
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)  
6.5±0.2  
3±0.1  
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)  
1.65  
Features  
Besonderheiten  
4
High collector emitter voltage  
Low saturation voltage  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Hohe Kollektor-Emitterspannung  
Type  
Code  
Niedrige Sättigungsspannung  
R
Konform zu RoHS, REACH,  
V
Konfliktmineralien 1)  
3
1
2
0.7  
2.3  
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
3.25  
Taped and reeled  
2500 / 13“  
Gegurtet auf Rolle  
Gewicht ca.  
Weight approx.  
0.04 g  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL = 1  
1 = B 2/4 = C 3 = E  
Case material  
Gehäusematerial  
Dimensions - Maße [mm]  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
DI13001N  
700 V  
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung  
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung  
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung  
B-E short  
B open  
VCES  
400 V  
VCEO  
VEBO  
C open  
9 V  
Power dissipation  
Verlustleistung  
Ptot  
1 W 3)  
Collector current – Kollektorstrom  
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom  
Base current – Basisstrom  
DC  
IC  
ICM  
IB  
0.25 A  
0.5 A  
t < 5 ms  
DC  
100 mA  
200 mA  
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom  
t < 5 ms  
IBM  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-55...+150°C  
-55…+150°C  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben  
Mounted on P.C. board with 100 mm2 copper pad at collector terminal 4  
2
3
Montage auf Leiterplatte mit 100 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss 4  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 

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