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DB101S-T PDF预览

DB101S-T

更新时间： 2024-02-11 00:58:13
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DB-S, 4 PIN

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DB101S-T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.55其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：50 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DB101S-T 数据手册

 浏览型号DB101S-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DB101S-T的Datasheet PDF文件第3页 
DB101S  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
DB1012S  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1200 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Surge overload rating - 50 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
DB-S  
* Weight: 1.0 gram  
(
)
)
.310 7.9  
MECHANICAL DATA  
(
.290 7.4  
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
(
)
)
.255 6.5  
(
.245 6.2  
* UL listed the recognized component directory, file #E94233  
.009  
(
)
)
)
.013 .330  
(
)
0.229  
(
.003 .076  
(
)
)
.042 1.1  
(
.410 10.4  
(
.038 1.0  
(
)
.360 9.4  
(
)
.060 1.524  
(
)
.040 1.016  
(8.8)  
(7.8)  
.346  
.307  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
)
.135 3.4  
(
.115 2.9  
(
)
)
.205 5.2  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
RATINGS  
DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S DB1012S  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
RMS  
1200  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
840  
Maximum DC Blocking Voltage  
Volts  
V
DC  
100  
1000  
1200  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
=
40oC  
Amps  
I
O
1.0  
50  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
Amps  
I
FSM  
R θ J A  
R θ J C  
40  
9
Typical Thermal Resistance  
(Note 1)  
0C/W  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
DB101S DB102S  
DB104S DB105S  
1.1  
DB1012S  
DB103S  
DB106S DB107S  
UNITS  
Volts  
CHARACTERISTICS  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
V
F
Element at 1.0A DC  
5.0  
0.5  
uAmps  
mAmps  
2005-2  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
Maximum Reverse Current at rated  
I
R
@T  
DC Blocking Voltage per element  
NOTE: 1.Suffix “-s” Surface Mount for Dip Bridge.  
2.Units mounted on P.C.B.with 0.5x0.5” (13x13mm) copper pads.  
3. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DB101ST-G COMCHIP

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 		SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers
DB101TB ETC

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