是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCN, LCC48,.56SQ,40 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.25 |
最长访问时间: | 55 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CQCC-N48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14.3002 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC48,.56SQ,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.23 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.016 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 14.3002 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8687503YC | TEMIC | Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, |
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5962-8687503YX | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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5962-8687503ZA | CYPRESS | Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 |
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5962-8687503ZX | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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5962-8687504UA | IDT | Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, FP-48 |
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5962-8687504UC | TEMIC | IC 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CQFP64, CERAMIC, QFP-64, Static RAM |
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