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5962-8687504YX

更新时间： 2024-02-01 23:19:38

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5962-8687504YX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	QCCN,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.56
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码：	S-CQCC-N52	长度：	19.0627 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	52	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Qualified	座面最大高度：	2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	19.0627 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8687504ZA	WEDC	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQCC52	获取价格
5962-8687504ZX	ETC	x8 Dual-Port SRAM	获取价格
5962-8687505UA	IDT	Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, FP-48	获取价格
5962-8687505UX	ETC	x8 Dual-Port SRAM	获取价格
5962-8687505XA	TEMIC	Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-48	获取价格
5962-8687505XX	ETC	x8 Dual-Port SRAM	获取价格