是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 0.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 167 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e1 | 内存密度: | 75497472 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 165 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1512V18-200BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-200BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-200BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-200BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-250BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-250BZCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 | |
CY7C1512V18-250BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-250BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-250BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1512V18-278BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |