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CY27H256-55WMB

更新时间： 2024-02-10 13:59:00

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赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	240K
描述
UVPROM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28

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CY27H256-55WMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-GDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	12.75 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.025 A	子类别：	EPROMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY27H256-55ZC	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28
CY27H256-55ZI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28
CY27H256-70DMB	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 32KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
CY27H256-70JCT	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 32KX8, 70ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H256-70JI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 32KX8, 70ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H256-70LMB	ETC	获取价格	x8 EPROM
CY27H256-70PI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
CY27H256-70QMB	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 32KX8, 70ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, HERMETIC SEALED, LCC-32
CY27H256-70WC	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 32KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
CY27H256-70WMB	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 32KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28