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CSC2120

更新时间： 2024-02-28 04:04:31

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CDIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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CSC2120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	PLASTIC, TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

CSC2120 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

CSC2120

TO-92

BCE

Audio Power Amplifier Applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified )

DESCRIPTION

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

Tj, Tstg

VALUE

5.0

800

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Emitter Current

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

deg C

600

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

100

TYP

MAX

100

320

UNIT

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

Collector -Emitter Voltage

DC Current Gain

ICBO

VCB=35V, IE=0

IEBO

VEB=5V, IC=0

VCEO

hFE*(1)

hFE*(2)

IC=10mA, IB=0

IC=100mA, VCE=1V

IC=700mA, VCE=1V

Collector Emitter Saturation Voltage VCE(Sat) * IC=500mA, IB=20mA

Base Emitter Voltage

Dynamic Characteristics

Collector Output Capacitance

0.5

0.8

VBE(on)

Cob

IC=10mA, VCE=1V

0.5

VCB=10V, IE=0,

f=1MHz

Transition Frequency

VCE=5V,IC=10mA,

120

MHz

*(1)hFE CLASSIFICATION

0 : 100 - 200,

Y : 160 - 320,

*Pulse Test : Pulse Width =300us, Duty Cycle=2%

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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