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CS23-12IO2

更新时间: 2024-02-20 17:05:41
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3页 60K
描述
Phase Control Thyristors

CS23-12IO2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-48
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:8.49外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:130 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us最大直流栅极触发电流:50 mA
最大直流栅极触发电压:2.5 V最大维持电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-208AAJESD-30 代码:O-MUPM-X2
JESD-609代码:e3最大漏电流:3 mA
通态非重复峰值电流:450 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:25000 A
最高工作温度:125 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:50 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

CS23-12IO2 数据手册

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CS 23  
Symbol  
IR, ID  
Test Conditions  
Characteristic Values  
TVJ = TVJM; VR = VRRM; VD = VDRM  
IT = 80 A; TVJ = 25°C  
£
£
3
1.8  
1.0  
mA  
V
VT  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only (TVJ = 125°C)  
V
10 mW  
VGT  
IGT  
VD = 6 V;  
VD = 6 V;  
TVJ = 25°C  
TVJ = -40°C  
TVJ = 25°C  
£
£
£
£
2.5  
3.5  
50 mA  
80 mA  
V
V
T
VJ = -40°C  
VGD  
IGD  
TVJ = TVJM  
;
VD = 2/3 VDRM  
£
£
0.2  
1
V
mA  
IL  
TVJ = 25°C; tP = 10 ms  
£
200 mA  
IG = 0.15 A; diG/dt = 0.15 A/ms  
IH  
TVJ = 25°C; VD = 6 V; RGK = ¥  
£
£
100 mA  
tgd  
TVJ = 25°C; VD = 1/2 VDRM  
IG = 0.15 A; diG/dt = 0.15 A/ms  
2
ms  
ms  
tq  
TVJ = TVJM; IT = 25 A, tP = 300 ms; di/dt = -20 A/ms typ.  
VR = 100 V; dv/dt = 20 V/ms; VD = 2/3 VDRM  
60  
RthJC  
RthJH  
DC current  
DC current  
1.0 K/W  
1.61 K/W  
dS  
dA  
a
Creepage distance on surface  
Strike distance through air  
Max. acceleration, 50 Hz  
1.5 mm  
1.5 mm  
50 m/s2  
Accessories:  
Nut M6 DIN 439/SW14  
Lock washer A6 DIN 128  
4
102  
s
120  
A
typ. lim.  
V
C
100  
TVJ= 125°C  
TVJ= 25°C  
B
3
VG  
tgd  
IT  
101  
100  
10-1  
80  
60  
40  
20  
0
B
2
B
lim.  
typ.  
1
A
IGD: TVJ= 25°C  
IGD: TVJ=125°C  
0
10-2  
10-1  
100  
101  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0 V 2.5  
A
0
25  
50  
75mA 100  
IG  
t
VT  
Fig. 1 Gate voltage and gate current  
Triggering:  
Fig. 2 Gate controlled delay time tgd  
Fig. 3 On-state characteristics  
A = no; B = possible; C = safe  
2 - 3  
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