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CAT5111YI-10-T3

更新时间： 2024-02-13 19:44:18
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管转换器电阻器
页数 文件大小 规格书
13页 169K
描述
10K DIGITAL POTENTIOMETER, INCREMENT/DECREMENT CONTROL INTERFACE, 100 POSITIONS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MS-153, TSSOP-8

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CAT5111YI-10-T3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.51
Is Samacsys：N其他特性：NONVOLATILE MEMORY
控制接口：INCREMENT/DECREMENT转换器类型：DIGITAL POTENTIOMETER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1位置数：100
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified电阻定律：LINEAR
最大电阻容差：20%最大电阻器端电压：3 V
最小电阻器端电压：座面最大高度：1.2 mm
标称供电电压：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS标称温度系数：300 ppm/ °C
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称总电阻：10000 Ω宽度：3 mm
Base Number Matches：1

CAT5111YI-10-T3 数据手册

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CAT5111  
Table 1. OPERATION MODES  
INC  
High to Low  
High to Low  
High  
CS  
Low  
U/D  
High  
Low  
X
Operation  
Wiper toward R  
H
Low  
Wiper toward R  
L
Low to High  
Low to High  
High  
Store Wiper Position  
No Store, Return to Standby  
Standby  
Low  
X
X
X
R
H
C
H
R
WI  
R
WB  
C
W
C
L
R
L
Figure 3. Potentiometer Equivalent Circuit  
Table 2. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameters  
Ratings  
Units  
Supply Voltage  
V
V
to GND  
−0.5 to +7  
CC  
Inputs  
V
CS to GND  
INC to GND  
U/D to GND  
−0.5 to V +0.5  
CC  
−0.5 to V +0.5  
V
V
CC  
−0.5 to V +0.5  
CC  
R
to GND  
−0.5 to V +0.5  
V
H
CC  
R to GND  
L
−0.5 to V +0.5  
V
CC  
R
WB  
to GND  
−0.5 to V +0.5  
V
CC  
Operating Ambient Temperature  
Commercial (‘C’ or Blank suffix)  
°C  
0 to 70  
−40 to +85  
+150  
Industrial (‘I’ suffix)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Lead Soldering (10 s max)  
°C  
°C  
°C  
°C  
−65 to 150  
+300  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the  
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect  
device reliability.  
Table 3. RELIABILITY CHARACTERISTICS  
Symbol  
(Note 1)  
Parameter  
ESD Susceptibility  
Latch−Up  
Test Method  
Min  
2000  
Typ  
Max  
Units  
V
V
MIL−STD−883, Test Method 3015  
JEDEC Standard 17  
ZAP  
I
(Notes 1, 2)  
100  
mA  
LTH  
T
Data Retention  
Endurance  
MIL−STD−883, Test Method 1008  
MIL−STD−883, Test Method 1003  
100  
Years  
Stores  
DR  
N
1,000,000  
END  
1. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.  
2. Latch−up protection is provided for stresses up to 100 mA on address and data pins from −1 V to V + 1 V  
CC  
http://onsemi.com  
4
 
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