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BZX85C200-TAP

更新时间: 2024-01-01 13:57:40
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试二极管
页数 文件大小 规格书
9页 219K
描述
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 1.3W,

BZX85C200-TAP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.82
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:1500 ΩJESD-609代码:e3
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:1.3 W标称参考电压:200 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)最大电压容差:5%
工作测试电流:1.5 mABase Number Matches:1

BZX85C200-TAP 数据手册

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BZX85-Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Partnumber  
Zener Voltage  
Dynamic Resistance  
Temperature  
Coefficient  
of  
ReverseLeakage Admissible Zener  
1)  
2)  
Current  
Range  
Current  
Zener Voltage  
3)  
3)  
V
@ I  
V
@ I  
@ I  
@ I = I  
@ I  
@ V  
I
Z
Z
ZT  
r
ZT  
r
ZK  
VZ  
Z
ZT  
R
R
ZT  
ZK  
mA  
mA  
%/°C  
A
V
mA  
min  
153  
168  
188  
max  
171  
191  
212  
min  
max  
BZX85C160  
BZX85C180  
< 1100  
< 1200  
< 1500  
1.5  
1.5  
1.5  
< 6500  
< 7000  
< 8000  
0.25  
0.25  
0.25  
0.055  
0.055  
0.055  
0.095  
0.095  
0.095  
< 0.5  
< 0.5  
< 0.5  
120  
130  
150  
5.8  
5.2  
4.7  
BZX85C200  
1)  
Measured with pulses t = 5 ms  
p
2)  
3)  
Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Measured with f = 1 kHz  
Document Number 85607  
Rev. 1.7, 14-Jun-04  
www.vishay.com  
3

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