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BZV55C20

更新时间: 2024-02-28 07:03:43
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虹扬 - HY 稳压二极管齐纳二极管测试
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4页 182K
描述
ZENER DIODE

BZV55C20 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.15
其他特性:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:55 Ω
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:20 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZV55C20 数据手册

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BZV55C SERIES  
REVERSE VOLTAGE - 2.4 to 188 Volts  
DL - 35  
ZENER DIODE  
FEATURES  
Small surface mounting type  
High reliability  
APPLICATIONS  
Voltage stabilization  
.063(1.6)  
.055(1.4)  
.020(0.5)  
.012(0.3)  
.020(0.5)  
.012(0.3)  
.146(3.7)  
.130(3.3)  
CONSTRUCTION  
Silicon epitaxial planar  
Dimensions in inches and (millimeters)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TJ=25  
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Pv  
Value  
500  
Unit  
Mw  
MA  
Power dissipation  
Z-current  
I=4mm TL25℃  
Iz  
Pv/Vz  
Junction temperature  
Storage temperature range  
175℃  
Tstg  
-55 ~ +200  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE  
TJ=25℃  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
RthJA  
Value  
350  
Unit  
K/W  
Junction ambient  
I=4mm TL=constant  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TJ=25℃  
Parameter  
Test Conditions  
IF=200mA  
Type  
Symbol  
VF  
Min  
Typ  
Max  
1.5  
Unit  
V
Forward voltage  
~ 403 ~  

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