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BZT52B33-V

更新时间: 2024-01-08 15:08:05
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威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 262K
描述
Small Signal Zener Diodes

BZT52B33-V 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.62配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:33 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:2.12%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZT52B33-V 数据手册

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BZT52-V-Series  
Vishay Semiconductors  
°C  
18135  
18120  
,
=
Figure 7. Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Figure 10. Temperature Dependence of Zener Voltage vs. Zener  
Voltage  
°C/W  
18124  
18121  
Figure 8. Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage  
Figure 11. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature  
°C  
18122  
18136  
Figure 9. Dynamic Resistance vs. Zener Voltage  
Figure 12. Temperature Dependence of Zener Voltage vs. Zener  
Voltage  
Document Number 85760  
Rev. 1.5, 21-Apr-05  
www.vishay.com  
5

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