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BZT52B12-E3-08

更新时间： 2024-01-10 02:22:52

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	133K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 1.67%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BZT52B12-E3-08 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	5.09
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	20 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	12 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	1.67%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT52B12-E3-08 数据手册

BZT52-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

10³

100

T_J= 25 °C

10²

I_F

r_zj

T_J= 100 °C

10^-1

10^-2

T_J= 25 °C

10^-3

10^-4

10^-5

6.8/8.2

6.2

0.2

0.4

0.6

0.8

0.1

18119

I_Z

5 100 mA

V_F

18114

Fig. 1 - Forward characteristics

Fig. 4 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

10³

500

400

300

200

100

T_j= 25 °C

R_zj

47 + 51

P_tot

10²

0.1

100

T_amb

200 °C

18120

I_Z

18888

Fig. 2 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Fig. 5 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

1000

10³

ΔV_Z

T_J= 25 °C

R_zth= R_thAx V_Z

T_j

R_zth

r_zj

10²

100

2.7

3.6

4.7

5.1

negative

positive

5.6

0.1

18117

5 100 mA

100 V

I_Z

18121

V_Zat I_Z= 5 mA

Fig. 3 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

Fig. 6 - Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage

Rev. 1.9, 08-Nov-16

Document Number: 85760

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