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BZT52-B16

更新时间: 2024-02-17 07:38:06
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强茂 - PANJIT 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 96K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

BZT52-B16 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.62Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.41 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:16 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZT52-B16 数据手册

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BZT52-B4V3 SERIES  
8
7
6
100  
10  
1
5
4
3
2
1
0
-1  
-2  
-3  
2
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6
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9
10  
11  
12  
10  
100  
NOMINAL ZENER VOLTAGE,VOLTS  
NOMINAL ZENER VOLTAGE,VOLTS  
Fig.2 TEMPERATURE COEFFICENTS  
Fig.1 TEMPERATURE COEFFICENTS  
1000  
1000  
100  
10  
O
TJ=25 C  
IZ(AC)=0.1IZ(DC)  
F=1 kHZ  
I
= 1 mA  
Z
100  
10  
1
5 mA  
20 mA  
150OC  
75OC  
5OC  
25OC  
1
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
1.2  
1
10  
100  
NORMAL ZENER VOLTAGE, VOLTS  
FORWARD VOLTAGE, VOLTS  
Fig.3 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE  
Fig.4 TYPICAL FORWARD VOLTAGE  
1000  
100  
TA  
=25 oC  
0 V BIAS  
1 V BIAS  
0.6  
0.5  
T
A
=25OC  
0.4  
0.3  
BIASAT  
50% OF V NOM  
Z
10  
1
0.2  
0.1  
1
10  
100  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
NORMAL ZENER VOLTAGE, VOLTS  
TEMPERATURE (OC)  
Fig.5 STEADY STATE POWER DERATING  
Fig.6 TYPICAL CAPACITANCE  
V010-DEC.29.2005  
PAGE . 3  

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