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BZD27C56P-M-18

更新时间: 2024-02-23 20:18:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
DIODE 56 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMF, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

BZD27C56P-M-18 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-219AB
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.22
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-219AB
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.8 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:56 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40最大电压容差:7.14%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

BZD27C56P-M-18 数据手册

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BZD27C3V6P-M to BZD27C200P-M  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
ZENER VOLTAGE  
RANGE  
TEST  
CURRENT  
REVERSE  
CURRENT  
CLAMPING  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
MARKING  
CODE  
(1)  
VZ at IZT1  
IZT1  
mA  
IR at VR  
VC at IRSM  
V
VZ at IZT1  
%/C  
PART NUMBER  
V
μA  
V
A
MIN. NOM. MAX.  
MAX.  
MAX.  
MIN.  
0
MAX.  
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BZD27C130P-M  
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BZD27C180P-M  
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50  
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50  
50  
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25  
25  
25  
25  
25  
25  
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10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
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5
5
229  
5
5
254  
Notes  
(1)  
Electrical characteristics when used as protection diodes  
Non-repetitive peak reverse current in accordance with ”IEC 60-1, section 8” (10/1000 μs pulse); see fig. 5.  
Rev. 1.2, 29-Nov-11  
Document Number: 83307  
3
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