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BZD27C30P-M-08

更新时间： 2024-02-24 08:53:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
DIODE 30 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMF, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

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BZD27C30P-M-08 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-219AB
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.21
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-219ABJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.8 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：30 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大电压容差：6.67%工作测试电流：25 mA
Base Number Matches：1

BZD27C30P-M-08 数据手册

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BZD27C3V6P-M to BZD27C200P-M  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Zener Diodes with Surge Current Specification  
FEATURES  
• Sillicon planar Zener diodes  
• Low profile surface-mount package  
• Zener and surge current specification  
• Low leakage current  
• Excellent stability  
• High temperature soldering: 260 °C/10 s at  
terminals  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
PARAMETER  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VZ specification  
Int. construction  
VALUE  
3.6 to 200  
5 to 100  
UNIT  
V
mA  
Pulse current  
Single  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS PER REEL  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BZD27C3V6P-M to  
BZD27C200P-M  
BZD27C3V6P-M to  
BZD27C200P-M-series-08  
3000 per 7" reel (8mm tape)  
15 000/box  
BZD27C3V6P-M to  
BZD27C200P-M  
BZD27C3V6P-M to  
BZD27C200P-M-series-18  
10 000 per 13" reel (8 mm tape)  
10 000/box  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY  
SOLDERING  
CONDITIONS  
PACKAGE NAME  
WEIGHT  
15 mg  
FLAMMABILITY RATING  
LEVEL  
MSL level 1  
DO-219AB (SMF)  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
(according J-STD-020)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
TL = 80 °C  
SYMBOL  
Ptot  
VALUE  
UNIT  
mW  
mW  
W
2300  
800  
Power dissipation  
TA = 25 °C (1)  
Ptot  
100 μs square pulse  
PZSM  
300  
10/1000 μs waveform  
(BZD27-C7V5P-M to BZD27-C100P-M)  
10/1000 μs waveform  
Non repetitive peak surge power  
dissipation (2)  
PRSM  
150  
W
PRSM  
RthJL  
100  
30  
W
(BZD27-C110P-M to BZD27-C200P-M)  
Junction to lead  
K/W  
Mounted on epoxy-glass PCB with 3 mm x  
Junction to ambient air  
RthJA  
180  
K/W  
3 mm Cu pads (40 μm thick)  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature range  
Tstg  
- 55 to + 150  
Notes  
(1)  
Mounted on epoxy-glass PCB with 3 mm x 3 mm Cu pads (40 μm thick)  
TJ = 25 °C prior to surge  
(2)  
Rev. 1.2, 29-Nov-11  
Document Number: 83307  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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