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BZD27-C150

更新时间: 2024-02-19 16:41:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
9页 42K
描述
Voltage regulator diodes

BZD27-C150 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Transferred
零件包装代码:DO-219AA包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.65Is Samacsys:N
最小击穿电压:138 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-219AAJESD-30 代码:R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散:150 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.8 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BZD27-C150 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Voltage regulator diodes  
BZD27 series  
REVERSE  
CURRENT at  
STAND-OFF  
VOLTAGE  
REVERSE  
BREAKDOWN  
VOLTAGE  
TEST  
CURREN  
T
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
CLAMPING  
VOLTAGE  
TYPE  
NUMBER  
V(BR)R (V)  
at Itest  
at IRSM  
(A)  
note 1  
SZ (%/K) at Itest  
V(CL)R (V)  
MAX.  
IR (µA)  
Itest  
(mA)  
at VR  
(V)  
MIN.  
MIN.  
MAX.  
MAX.  
168  
188  
208  
228  
251  
280  
310  
340  
370  
400  
440  
480  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
249  
276  
305  
336  
380  
419  
459  
498  
537  
603  
655  
707  
0.60  
0.54  
0.50  
0.45  
0.40  
0.36  
0.33  
0.30  
0.28  
0.25  
0.23  
0.21  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
150  
160  
180  
200  
220  
240  
270  
300  
330  
360  
390  
430  
BZD27-C180  
BZD27-C200  
BZD27-C220  
BZD27-C240  
BZD27-C270  
BZD27-C300  
BZD27-C330  
BZD27-C360  
BZD27-C390  
BZD27-C430  
BZD27-C470  
BZD27-C510  
Note  
1. Non-repetitive peak reverse current in accordance with “IEC 60-1, Section 8” (10/1000 µs pulse); see Fig.8.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
Rth j-tp  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
UNIT  
thermal resistance from junction to tie-point  
BZD27-C3V6 to -C6V8  
55  
30  
K/W  
K/W  
BZD27-C7V5 to -C510  
Rth j-a  
thermal resistance from junction to ambient  
BZD27-C3V6 to -C6V8  
note 1  
175  
150  
K/W  
K/W  
BZD27-C7V5 to -C510  
Note  
1. Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of Cu-layer 40 µm, see Fig.7.  
For more information please refer to the “General Part of associated Handbook”.  
1996 Jun 10  
6

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