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BUF04GP

更新时间： 2024-02-06 23:08:19
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI /
页数 文件大小 规格书
16页 440K
描述
Closed-Loop High Speed Buffer

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BUF04GP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：PLASTIC, DIP-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.87放大器类型：BUFFER
最大平均偏置电流 (IIB)：10 µA标称带宽 (3dB)：110 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：5 µA最大输入失调电压：4000 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e0
长度：9.88 mm负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最小输出电流：0.05 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：+-5/+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.33 mm最小摆率：2000 V/us
标称压摆率：3000 V/us子类别：Buffer Amplifiers
最大压摆率：8.5 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
技术：BIPOLAR温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

BUF04GP 数据手册

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BUF04–SPECIFICATIONS  
(@ V = ؎15.0 V, T = +25؇C unless otherwise noted)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
S
A
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
INPUT CHARACTERISTICS  
Offset Voltage  
VOS  
IB  
0.3  
1.3  
0.7  
2.2  
±13  
30  
1
4
5
10  
mV  
mV  
µA  
µA  
V
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
VCM = 0  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
Input Bias Current  
Input Voltage Range  
Offset Voltage Drift  
Offset Null Range  
VCM  
∆VOS/∆T  
µV/°C  
mV  
±25  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
Output Voltage Swing  
VO  
RL = 150 Ω,  
±10.5 ±11.1  
V
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
RL = 2 kΩ,  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
±10  
±13  
±13  
±50  
±11  
V
V
V
mA  
mA  
±13.5  
±13.15  
±65  
Output Current – Continuous  
Peak Output Current  
IOUT  
IOUTP  
Note 2  
±80  
TRANSFER CHARACTERISTICS  
Gain  
AVCL  
NL  
RL = 2 kΩ  
0.995  
0.995  
0.9985 1.005  
0.9980 1.005  
0.005  
V/V  
V/V  
%
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
RL = 1 kΩ, VO = ±10 V  
RL = 150 kΩ  
Gain Linearity  
0.008  
%
POWER SUPPLY  
Power Supply Rejection Ratio  
PSRR  
ISY  
VS = ±4.5 V to ±18 V  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
VO = 0 V, RL = ∞  
76  
76  
93  
93  
6.9  
6.9  
dB  
dB  
mA  
mA  
Supply Current  
8.5  
8.5  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
DYNAMIC PERFORMANCE  
Slew Rate  
Bandwidth  
Bandwidth  
Bandwidth  
SR  
RL = 2 kΩ, CL = 70 pF  
2000  
3000  
110  
110  
110  
60  
V/µs  
MHz  
MHz  
MHz  
ns  
BW  
BW  
BW  
–3 dB, CL = 20 pF, RL = ∞  
–3 dB, CL = 20 pF, RL = 1 kΩ  
–3 dB, CL = 20 pF, RL = 150 Ω  
Settling Time  
VIN = ±10 V Step to 0.1%  
Differential Phase  
f = 3.58 MHz, RL = 150 Ω  
f = 4.43 MHz, RL = 150 Ω  
f = 3.58 MHz, RL = 150 Ω  
f = 4.43 MHz, RL = 150 Ω  
0.02  
0.03  
0.014  
0.008  
3
Degrees  
Degrees  
%
%
pF  
Differential Gain  
Input Capacitance  
NOISE PERFORMANCE  
Voltage Noise Density  
Current Noise Density  
en  
in  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
4
2
nV/√Hz  
pA/√Hz  
NOTE  
1Long term offset voltage is guaranteed by a 1000 hour life test performed on three independent lots at +125°C with an LTPD of 1.3.  
Specifications subject to change without notice.  
–2–  
REV. 0  
1234567...16

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