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BUF04AZ/883

更新时间： 2024-02-17 05:23:53
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI /
页数 文件大小 规格书
16页 440K
描述
Closed-Loop High Speed Buffer

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BUF04AZ/883 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：CERDIP-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.89
放大器类型：BUFFER最大平均偏置电流 (IIB)：5 µA
标称带宽 (3dB)：110 MHz25C 时的最大偏置电流 (IIB)：5 µA
最大输入失调电压：1000 µVJESD-30 代码：R-GDIP-T8
JESD-609代码：e0负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最小输出电流：0.05 A
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：+-5/+-15 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：5.08 mm
最小摆率：2000 V/us标称压摆率：3000 V/us
子类别：Buffer Amplifier最大压摆率：8.5 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

BUF04AZ/883 数据手册

 浏览型号BUF04AZ/883的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BUF04AZ/883的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUF04AZ/883的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUF04AZ/883的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUF04AZ/883的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BUF04AZ/883的Datasheet PDF文件第7页 
BUF04  
WAFER TEST LIMITS  
Parameter  
(@ VS = ؎15.0 V, TA = +25؇C unless otherwise noted)  
Symbol  
Conditions  
Limit  
Units  
Offset Voltage  
VOS  
VOS  
IB  
PSRR  
VO  
VS = ±15 V  
VS = ±5 V  
VCM = 0 V  
V = ±4.5 V to ±18 V  
RL = 150 Ω  
1
2
5
76  
±10.5  
8.5  
1 ± 0.005  
mV max  
mV max  
µA max  
dB  
V min  
mA max  
V/V  
Input Bias Current  
Power Supply Rejection Ratio  
Output Voltage Range  
Supply Current  
ISY  
AVCL  
VO = 0 V, RL = 2 kΩ  
VO = ±10 V, RL = 2 kΩ  
Gain  
NOTE  
Electrical tests and wafer probe to the limits shown. Due to variations in assembly methods and normal yield loss, yield after packaging is not guaranteed for standard  
product dice. Consult factory to negotiate specifications based on dice lot qualifications through sample lot assembly and testing.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1  
DICE CHARACTERISTICS  
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18 V  
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18 V  
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . See Figure 16  
Storage Temperature Range  
Z Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +175°C  
P, S Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
Operating Temperature Range  
BUF04Z . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55°C to +125°C  
BUF04S, P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40°C to +85°C  
Junction Temperature Range  
Z Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
P, S Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
Lead Temperature Range (Soldering 60 sec) . . . . . . . . +300°C  
2
BUF04 Die Size 0.075 x 0.064 inch, 5,280 Sq. Mils  
Substrate (Die Backside) Is Connected to V+  
Transistor Count 45.  
Package Type  
θJA  
θJC  
Units  
8-Pin Cerdip (Z)  
8-Pin Plastic DIP (P)  
8-Pin SOIC (S)  
148  
103  
158  
16  
43  
43  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
NOTES  
1Absolute maximum ratings apply to both DICE and packaged parts, unless  
otherwise noted.  
2θJA is specified for the worst case conditions, i.e., θJA is specified for device in socket  
for cerdip, P-DIP, and LCC packages; θJA is specified for device soldered in circuit  
board for SOIC package.  
ORDERING GUIDE  
Temperature  
Range  
Package  
Description  
Package  
Option  
Model  
BUF04AZ/883  
BUF04GP  
BUF04GS  
–55°C to +125°C Cerdip  
Q-8  
N-8  
SO-8  
DICE  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
+25°C  
Plastic DIP  
SO  
DICE  
BUF04GBC  
–4–  
REV. 0  
1234567...16

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