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BU52098GWZ-E2

更新时间： 2024-02-25 05:46:33

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BU52098GWZ-E2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	BGA4,2X2,16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.32	其他特性：	CMOS OUTPUT
主体宽度：	0.8 mm	主体高度：	0.4 mm
主体长度或直径：	0.8 mm	滞后：	1.6 mT
最大磁场范围：	27.5 mT	最小磁场范围：	18.9 mT
安装特点：	SURFACE MOUNT	轴数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出电路类型：	TRANSISTOR
最大输出电流：	0.5 mA	输出范围：	0.2-1.6V
输出类型：	VOLTAGE OUTPUT	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	BGA4,2X2,16	封装形状/形式：	SQUARE
传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT	最大供电电压：	3.6 V
最小供电电压：	1.65 V	表面贴装：	YES
端接类型：	SOLDER	Base Number Matches：	1

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BU52098GWZ - Web Page

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BU52098GWZ

UCSP35L1

3000

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RoHS

3000

Taping

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Yes

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BU520XX_BD7411G_REVF	ROHM	Omnipolar detection, Micro power operation (small current using intermittent operation met	获取价格
BU52177GXZ-E2	ROHM	Hall Effect Sensor, 10.1mT Min, 19mT Max, 0.2-1.6V, Square, Surface Mount, XCSP-4	获取价格
BU522	ISC	Silicon Darlington NPN Power Transistor	获取价格
BU52216	MOTOROLA	7A, 375V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
BU52216A	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 375V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
BU52271NUZ-ZE2	ROHM	Hall Effect Sensor,	获取价格