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BTS500851TMAATMA1

更新时间： 2024-01-19 23:27:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动接口集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 308K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 11.1A, MOS, PSSO7, GREEN, PLASTIC, TO-220, 7 PIN

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BTS500851TMAATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.62
其他特性：REVERSE BATTERY PROTECTION; SEATED HGT -CALCULATED; SEATED HGT-NOM内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSSO-G7
JESD-609代码：e3长度：10 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：7输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：11.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：4.5 mm
最大供电电压：58 V最小供电电压：5 V
标称供电电压：24 V表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：110 µs接通时间：400 µs
宽度：9.25 mmBase Number Matches：1

BTS500851TMAATMA1 数据手册

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Data Sheet BTS50085-1TMA  
Parameter and Conditions  
Symbol  
Values  
Unit  
at Tj =-40 ... +150°C, V = 24 V unless otherwise specified  
bb  
min  
typ  
max  
16)  
Protection Functions  
Short circuit current limit (Tab to pins 1,2,6,7)  
V
=24 V, time until shutdown max. 300 µs  
Tc =-40°C: IL(SC)  
Tc =25°C: IL(SC)  
Tc =+150°C: IL(SC)  
--  
--  
50  
90  
90  
80  
180  
--  
A
ON  
see page 8 and 13  
--  
Short circuit shutdown delay after input current  
17)  
positive slope, VON > VON(SC)  
td(SC)  
80  
62  
--  
350  
72  
µs  
min. value valid only if input "off-signal" time exceeds 30 µs  
Output clamp (inductive load switch off)  
at VOUT = Vbb - VON(CL) (e.g. over voltage)  
IL= 40 mA  
VON(CL)  
65  
V
Short circuit shutdown detection voltage 17  
)
(pin 4 to pins 1,2,6,7)  
VON(SC)  
Tjt  
∆Tjt  
--  
150  
--  
6
--  
10  
--  
--  
--  
V
°C  
K
Thermal overload trip temperature  
Thermal hysteresis  
Reverse Battery  
Reverse battery voltage 18  
)
On-state resistance (Pins 1,2,6,7 to pin 4) T =25°C:  
Vbb=-12V, VIN=0, IL=-20A, RIS=1kΩ T =150°C:  
-Vbb  
--  
--  
--  
42  
V
j
RON(rev)  
8.8 10.5  
--  
mΩ  
20  
j
Integrated resistor in V line  
T =25C: Rbb  
90  
120  
125  
135  
150  
Ω
bb  
j
T =150°C:  
j
105  
16 ) Integrated protection functions are designed to prevent IC destruction under fault conditions described in the  
data sheet. Fault conditions are considered as “outside” normal operating range. Protection functions are not  
designed for continuous repetitive operation.  
17  
)
not subject to production test, specified by design.  
The reverse load current through the intrinsic drain-source diode has to be limited by the connected load (as  
18  
)
it is done with all polarity symmetric loads). Note that under off-conditions (I =I =0) the power transistor  
IN IS  
is not activated. This results in raised power dissipation due to the higher voltage drop across the intrinsic  
drain-source diode. The temperature protection is not active during reverse current operation! To reduce the  
power dissipation at the integrated Rbb resistor an input resistor is recommended as described on page 9.  
Infineon Technologies AG  
Page 5  
2008-Jan-24  
12345678...18

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