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BTNA06N3

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	145K
描述
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTNA06N3 数据手册

Spec. No. : C216N3

Issued Date : 2003.10.07

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 2/4

Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

Min. Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BV_CBO

I_C=100µA

I_C=1mA

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

I_E=100µA

V_CB=80V

V_CE=60V

100

0.25

1.2

I_CEO

*V_CE(sat)

*V_BE(on)

*h_FE1

*h_FE2

f_T

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=1V, I_C=10mA

V_CE=1V, I_C=100mA

100

MHz

V_CE=2V, I_C=10mA, f=100MHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤380µs, Duty Cycle≤2%

BTNA06N3

CYStek Product Specification

123 4

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