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BTB41-800

更新时间: 2024-01-13 01:40:53
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页数 文件大小 规格书
4页 270K
描述
Discrete Triacs

BTB41-800 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-3包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
Factory Lead Time:7 weeks风险等级:1.62
外壳连接:MAIN TERMINAL 2配置:SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值:10 V/us关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:1.3 V
最大维持电流:80 mAJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大漏电流:5 mA
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:40 A
断态重复峰值电压:800 V子类别:TRIACs
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches:1

BTB41-800 数据手册

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BTB41  
Discrete Triacs(Non-Isolated)  
Fig. 7: R elative variation of gate trigger current,  
holding current and latching current versus  
Fig. 8: R elative variation ofcritical rate ofdecrease  
of main current versus (dV/dt)c (typical values).  
junction temperature (typical values).  
IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25° C]  
2.5  
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / S pecified (dI/dt)c  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
2.0  
IGT  
1.5  
IH & IL  
1.0  
0.5  
0.6  
0.4  
(dV/dt)c (V/µs )  
Tj(° C)  
40 60  
0.0  
-40 -20  
0.1  
1.0  
10.0  
100.0  
0
20  
80 100 120 140  
Fig. 9: R elative variation of critical rate of  
decrease of main current versus junction  
temperature.  
(dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj s pecified]  
6
5
4
3
2
1
Tj (° C)  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
P4  
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