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BR25H010FVT-WE2

更新时间： 2024-02-09 09:53:33
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 1138K
描述
EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8

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BR25H010FVT-WE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.59
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3/e2长度：4.4 mm
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.25 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN/TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

BR25H010FVT-WE2 数据手册

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Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)  
6
5
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0
6
5
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3
2
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0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
SPEC  
Ta=-40˚C  
SPEC  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
Ta=  
3
-
40˚C  
SPEC  
4
Ta=-40˚C  
0
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3
5
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1
2
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5
6
VCC[V]  
IOL[mA]  
VCC[V]  
Fig.6 "H" input voltage VIH(CS,SCK,SI,HOLD,WP)  
Fig.7 "L" input voltage VIL(CS,SCK,SI,HOLD,WP)  
Fig.8 "L" output voltage VOL-IOL(VCC=1.8V)  
2.6  
2.4  
2.2  
2
2
1
Ta=-40˚C  
Ta=-40˚C  
0.8  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
0.6  
0.4  
0.2  
0
Ta=25˚C  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
Ta=85˚C  
SPEC  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
SPEC  
SPEC  
Ta=  
4
-40˚C  
1.8  
0
1
2
3
5
0
0.4  
IOH[mA]  
0.8  
0
0.4  
IOH[mA]  
0.8  
IOL[mA]  
Fig.9 "H" output voltage VOH-IOH(VCC=1.8V)  
Fig.10 "L" output voltage VOL-IOL(VCC=2.5V)  
Fig.11 "H" output voltage VOH-IOH(VCC=2.5V)  
V
V
CC=2.5V 2mA  
CC=5.5V 3mA  
1.2  
1
1.2  
1
4
3
2
1
0
SPEC  
SPEC  
fSCK=5MHz  
DATA=55h  
SPEC  
0.8  
0.8  
0.4  
0.2  
0
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
SPEC  
Ta=25˚C  
Ta=-40˚C  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
Ta=  
-
40˚C  
Ta=  
-
40˚C  
Ta=85˚C  
0
1
2
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1
2
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0
1
2
3
4
5
6
VCC[V]  
VCC[V]  
VCC[V]  
Fig.12 Input leak current ILI(CS,SCK,SI,WP,HOLD)  
Fig.13 Output leak current ILO(SO)  
Fig.14 Current consumption at WRITE operation  
ICC1,2,3(WRITE,PAGE WRITE,WRSR,fSCK=5MHz)  
BR25L010-W,BR25L020-W,BR25L040-W  
Vcc=2.5V 1.5mA  
Vcc=5.5V 2.0mA  
2.5  
2.5  
2
100  
Ta=25˚C  
fSCK=5MHz  
Ta=-  
40˚C  
SPEC  
SPEC  
DATA=55h  
2
SPEC  
Ta=85˚C  
10  
1
Ta=  
-40˚C  
1.5  
1
1.5  
1
Ta=25˚C  
SPEC  
SPEC  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
Ta= 40˚C  
Ta=85˚C  
0.5  
0
0.5  
0
-
0.1  
0
1
2
3
4
5
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0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
VCC[V]  
VCC[V]  
VCC[V]  
Fig.15 Consumption current at READ operation  
ICC4,5(READ,WRSR,fSK=5MHz)  
Fig.16 Consumption current at standby operation ISB  
Fig.17 SCK frequency fSCK  
250  
250  
250  
200  
150  
100  
50  
SPEC  
SPEC  
SPEC  
200  
150  
100  
50  
200  
150  
SPEC  
SPEC  
100  
SPEC  
Ta=-40˚C  
Ta=25˚C  
Ta=85˚C  
Ta=-40˚C  
Ta=85˚C  
Ta=25˚C  
Ta=  
-
40˚C  
50  
0
Ta=25˚C  
Ta=85˚C  
0
0
0
1
2
3
4
5
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1
2
3
4
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1
2
3
4
5
6
VCC[V]  
VCC[V]  
VCC[V]  
Fig.18 tSCK high time tSCKWH  
Fig.19 SCK low time tSCKWL  
Fig.20 CS high time tCS  
4/16  
1234567...17

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与BR25H010FVT-WE2相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BR25H010FV-WE2 ROHM EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SSOP-8

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BR25H010F-W ROHM HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY ser

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BR25H010F-WC ROHM EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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