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BP1F3P

更新时间： 2024-01-07 17:27:01

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瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	240K
描述
700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BP1F3P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BP1F3P 数据手册

BP1 SERIES

BP1L3N

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −22 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

−

−100

h^FE1^{Note 2}

h^FE2^{Note 2}

h^FE3^{Note 2}

V^OL^{Note 2}

V^IL^{Note 2}

R¹

200

100

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.1 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.5 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.7 A

V^IN= −5.0 V, I^C= −0.2 A

V^CE= −5.0 V, I^C= −100 µA

−

DC current gain

−

DC current gain

−0.45

−0.3

6.11

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

kΩ

3.29

4.7

E-to-B resistance

R²

Note 2 PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

BP1A4M

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −22 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

−

−100

h^FE1^{Note 2}

h^FE2^{Note 2}

h^FE3^{Note 2}

V^OL^{Note 2}

V^IL^{Note 2}

R¹

200

100

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.1 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.5 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.7 A

V^IN= −5.0 V, I^C= −0.1 A

V^CE= −5.0 V, I^C= −100 µA

−

DC current gain

−

DC current gain

−0.4

−0.3

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

kΩ

E-to-B resistance

R²

Note 2 PW≤350 µs, duty cycle≤2 %

Data Sheet D11740EJ2V0DS

1...3 4 567 8

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