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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BP1A4M-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BP1F3P | NEC |
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On-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| BP1F3P | RENESAS |
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700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BP1F3P-A | NEC |
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暂无描述 |
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| BP1F3P-T-A | RENESAS |
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BP1F3P-T-A |
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| BP1J3P | NEC |
获取价格 |
On-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| BP1J3P | RENESAS |
获取价格 |
700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BP1J3P-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BP1L2Q | NEC |
获取价格 |
On-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| BP1L2Q-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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