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BGY116D

更新时间： 2024-02-16 07:33:44

品牌	Logo	应用领域
飞利浦 - PHILIPS		高功率电源射频微波
页数	文件大小	规格书
12页	130K
描述
RF/Microwave Amplifier, Hybrid,

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BGY116D 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	封装主体材料：	METAL
封装等效代码：	FLNG,2.26"H.SPACE	电源：	12.5 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	技术：	HYBRID
Base Number Matches：	1

BGY116D 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

UHF ampliﬁer modules

BGY116D; BGY116E

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

MIN.

MAX.

UNIT

V_S

DC supply voltage

DC control voltage

input drive power

load power

−

V_C

P_D

P_L

T_stg

T_mb

storage temperature

−40

−30

+100

°C

operating mounting base temperature

°C

MLB618

handbook, halfpage

(W)

VSWR = 1:1

VSWR = 3:1

120

( C)

Fig.2 Power derating curve.

1996 May 08

1 234 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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