BD902

更新时间： 2024-02-09 08:38:42

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COMSET		晶体晶体管
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4页	107K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BD902 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	70 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

BD902 数据手册

SEMICONDUCTORS

BD896 – BD898 – BD900 – BD902

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220

enveloppe. They are intended for use in output stages in audio equipment, general amplifiers,

and analogue switching application.

NPN complements are BD895 - BD897 - BD899 - BD901

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

-45

-60

-80

-100

-45

-60

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-100

V_EBO

-5

-8

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

I_C

Collector Current

I_B

Base Current

-300

BD902

T_c= 25°

T_a= 25°

P_T

Power Dissipation

Watts

°C

T_J

T_s

150

Junction Temperature

-65 to +150

Storage Temperature range

25/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 4

12 3 4

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与BD902相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD90216	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD90216A	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD902A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD902AF	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD902AJ	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD902C	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD902D1	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD902L	MOTOROLA	获取价格	8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD902N	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD902S	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB