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BD814

更新时间: 2024-01-16 19:19:50
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1页 44K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202

BD814 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.46Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BD814 数据手册

  

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