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BD815

更新时间: 2024-01-17 07:44:21
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CDIL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD815 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.46最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:140 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

BD815 数据手册

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