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BCW68F

更新时间： 2024-02-28 18:49:01
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 295K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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BCW68F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.09基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

BCW68F 数据手册

 浏览型号BCW68F的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
BCW68G  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
* Collector current  
ICM :  
0.33  
W (Tamb=25OC)  
-0.8  
A
* Collector-base voltage  
: -60  
V
V
(BR)CBO  
SOT-23  
* Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
1
2
EMITTER  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase , half wave, 60HZ, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
MAX  
-
TYP  
-
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNITS  
MIN  
-60  
V
Collector-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
(BR)CBO  
V
V
C
E
V
-
-
-
-
Collector-emitter breakdown voltage (I = -10mA, I =0)  
(BR)CEO  
-45  
C
B
V
Emitter-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
(BR)EBO  
V
-5  
-
E
C
-
-
µA  
Collector cut-off current (V = -45V, I =0)  
I
CBO  
-0.02  
CB  
E
-
Collector cut-off current (V = -4V, I =0)  
I
EBO  
µA  
-0.02  
EB  
C
-
-
-
-
DC current gain (V = -10V, I = -0.1mA)  
50  
-
-
CE  
C
DC current gain (V = -1V, I = -10mA)  
CE  
C
120  
160  
h
FE  
-
-
-
-
DC current gain (V = -1V, I = -100mA)  
400  
-
CE  
C
DC current gain (V = -2V, I = -500mA)  
60  
-
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage (I = -100mA, I = -10mA)  
-
-
-
-
-
C
B
-0.3  
-0.7  
-1.25  
-2  
V
V
V
V
CE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage (I = -500mA, I = -50mA)  
-
-
C
B
Base-emitter saturation voltage (I = -100mA, I = -10mA)  
C
B
V
BE(sat)  
-
100  
-
Base-emitter saturation voltage (I = -500mA, I = -50mA)  
V
C
B
MHz  
Transition frequency (V = -10V, I = -20mA, f=100MHZ)  
CE  
-
fT  
C
-
-
-
Cob  
Output capacitance (V = -10V, I = 0, f=1MHZ)  
CB  
F
P
18  
80  
10  
E
Input capacitance (V = -0.5V, I = 0, f=1MHZ)  
EB  
E
F
P
Cib  
NF  
-
-
Noise figure (V = -5V, I = -0.2mA, f=1kHz, ∆f=200Hz, RG=1KΩ)  
dB  
CE  
E
Marking  
Note 1: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
DG  
2006-3  
12

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