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BCW66F

更新时间： 2024-02-10 12:54:57

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安世 - NEXPERIA		IOT 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	294K
描述
45 V, 800 mA NPN general-purpose transistorProduction

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BCW66F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.24	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.33 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V

BCW66F 数据手册

BCW66 series

45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor

Rev. 1 — 21 April 2017

Product data sheet

1 General description

NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

PNP complements: BCW68F/G/H

2 Features and benefits

• High current

• AEC-Q101 qualified

3 Applications

• General-purpose switching and amplification

4 Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage

collector current

peak collector current

DC current gain

BCW66F

open base

800

I_CM

h_FE

single pulse; t_p≤ 1 ms

[1]

V_CE= 1 V; I_C= 100 mA; T_amb= 25 °C

100

160

250

400

600

BCW66G

BCW66H

[1] pulsed: t_p≤ 300 μs, δ ≤ 0.02

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW66-F	INFINEON	1000mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
BCW66F_07	INFINEON	NPN Silicon AF Transistors	获取价格
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BCW66FE6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格