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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCW60BTA | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60B-TAPE-13 | NXP | TRANSISTOR 200 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW60B-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 200 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW60BTC | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60BTF | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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| BCW60BTI | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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