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BCW60C

更新时间: 2024-02-18 11:27:04
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

BCW60C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.13
其他特性:LOW NOISE基于收集器的最大容量:2.5 pF
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):130JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.55 VBase Number Matches:1

BCW60C 数据手册

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BCW60A/B/C/D  
General Purpose Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
32  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
32  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
100  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  

与BCW60C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BCW60-C INFINEON 200mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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