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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.35 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC860BTRL13 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC860BTRLEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC860BW | NXP | PNP general purpose transistors |
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| BC860BW | INFINEON | PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain |
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| BC860BW | DIOTEC | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC860BW | TYSEMI | Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 45 V). Collector-base voltage VCBO -30 |
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