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BC372

更新时间： 2024-01-12 23:30:59

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管达林顿晶体管高压
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4页	111K
描述
High Voltage Darlington Transistors(NPN Silicon)

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BC372 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	25 pF
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	8000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	1.1 V	Base Number Matches：	1

BC372 数据手册

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by BC372/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR 3

BASE

EMITTER 1

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

BC372 BC373

Unit

Vdc

Adc

100

CES

CBO

EBO

Collector Current — Continuous

1.0

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watt

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CES

(BR)CBO

(BR)EBO

(I = 100 Adc, I = 0)

BC372

BC373

100

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

Vdc

BC372

BC373

100

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 Adc, I = 0)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

nAdc

CBO

= 80 Vdc, I = 0)

BC372

BC373

—

100

= 60 Vdc, I = 0)

Emitter Cutoff Current

(V = 10 V, I = 0)

—

100

nAdc

EBO

1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle 2.0%.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC372/D	ETC	Darlington Transistor NPN	获取价格
BC372_07	ONSEMI	High Voltage Darlington Transistors	获取价格
BC372-16	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92	获取价格
BC372-25	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92	获取价格
BC372-40	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92	获取价格
BC372G	ONSEMI	High Voltage Darlington Transistors	获取价格