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BC239RL1

更新时间: 2024-01-27 07:49:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 321K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BC239RL1 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.61
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:4.5 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:1 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):280 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BC239RL1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Symbol BC237 BC238 BC239  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
CollectorEmitter Voltage  
CollectorEmitter Voltage  
EmitterBase Voltage  
V
45  
50  
25  
30  
25  
30  
CEO  
V
Vdc  
CES  
EBO  
V
6.0  
5.0  
100  
5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
357  
125  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
CollectorEmitter Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mA, I = 0)  
BC237  
BC238  
BC239  
V
45  
25  
25  
V
V
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
B
EmitterBase Breakdown Voltage  
(I = 100 A, I = 0)  
BC237  
BC238  
BC239  
V
6.0  
5.0  
5.0  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
= 30 V, V  
= 0)  
BC238  
BC239  
0.2  
0.2  
15  
15  
nA  
BE  
(V  
(V  
= 50 V, V  
= 30 V, V  
= 0)  
BC237  
0.2  
15  
CE  
BE  
= 0) T = 125°C  
BC238  
BC239  
0.2  
0.2  
4.0  
4.0  
µA  
CE  
BE  
A
(V  
CE  
= 50 V, V  
= 0) T = 125°C  
BC237  
0.2  
4.0  
BE  
A
REV 1  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–85  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC239RLRA MOTOROLA Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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