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BAL99E6433

更新时间： 2024-02-06 18:08:54

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英飞凌 - INFINEON		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	38K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon

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BAL99E6433 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.37 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.006 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAL99E6433 数据手册

BAL99

Silicon Switching Diode

For high-speed switching applications

VPS05161

EHA00002

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BAL99

JFs

1 = n.c.

2 = C

3 = A

SOT23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

250

4.5

370

150

Surge forward current, t = 1 s

°C

Total power dissipation, T = 54 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

thJS

260

K/W

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Jul-27-2001

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BAL99-GS08	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 70V V(RRM),
BAL99-GT1	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAL99-HE3-08	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3