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AZ23B8V2-GS08

更新时间: 2024-02-26 21:00:52
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 194K
描述
DIODE 8.2 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

AZ23B8V2-GS08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.19Is Samacsys:N
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:7 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.2 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1.95%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

AZ23B8V2-GS08 数据手册

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AZ23-Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
18111  
Figure 12. Breakdown Characteristics  
18112  
Figure 13. Breakdown Characteristics  
www.vishay.com  
6
Document Number 85759  
Rev. 1.4, 08-Jul-04  

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