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AZ23B5V1-V-G-08

更新时间： 2024-02-09 01:24:13

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
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8页	115K
描述
DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

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AZ23B5V1-V-G-08 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.18
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	30 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	5.1 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	1.96%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

AZ23B5V1-V-G-08 数据手册

AZ23-V-G-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Zener Diodes, Dual

FEATURES

• Dual silicon planar Zener diodes, common

anode

• The Zener voltages are graded according to the

international E 24 standard

• The parameters are valid for both diodes in one

case. V_Zand R_zjof the two diodes in one case

is  5 %

20456

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

PRIMARY CHARACTERISTICS

Note

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

2.7 to 51

UNIT

** Please see document “Vishay Material Category Policy”:

www.vishay.com/doc?99902

Pulse current

Dual

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

AZ23-V-G-series-18

AZ23-V-G-series-08

TAPED UNITS PER REEL

10 000 (8 mm tape on 13" reel)

3000 (8 mm tape on 7" reel)

MINIMUM ORDER QUANTITY

AZ23-V-G-series

10 000

15 000

AZ23-V-G-series

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

8.1 mg

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

SOT-23

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

(according J-STD-020)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Device on fiberglass substrate,

see layout on page 6

Power dissipation

P_tot

300

420

Device on fiberglass substrate,

see layout on page 6

Junction to ambient air

R_thJA

K/W

T_j

T_stg

I_Z

Junction temperature

Storage temperature range

Zener current

150

°C

- 65 to + 150

P_tot/V_Z

Rev. 1.2, 31-Aug-11

Document Number: 85867

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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AZ23B5V1-V-G-GS08	VISHAY	获取价格	DIODE 5.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-3, Volt
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