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AZ23B3V3-GS18

更新时间: 2024-02-02 20:14:45
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 194K
描述
DIODE 3.3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

AZ23B3V3-GS18 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.18Is Samacsys:N
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:95 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.3 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2.12%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

AZ23B3V3-GS18 数据手册

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AZ23-Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
18113  
Figure 14. Breakdown Characteristics  
Package Dimensions in mm (Inches)  
0.175 (.007)  
0.098 (.005)  
0.1 (.004) max.  
2.6 (.102)  
2.35 (.092)  
0.4 (.016)  
0.4 (.016)  
ISO Method E  
3.1 (.122)  
Mounting Pad Layout  
2.8 (.110)  
0.4 (.016)  
0.52 (0.020)  
3
0.9 (0.035)  
2.0 (0.079)  
1
2
0.95 (.037)  
0.95 (.037)  
0.95 (0.037)  
0.95 (0.037)  
17418  
Document Number 85759  
Rev. 1.4, 08-Jul-04  
www.vishay.com  
7

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