5秒后页面跳转
AZ23B3V3-E8 PDF预览

AZ23B3V3-E8

更新时间: 2024-01-15 11:46:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 358K
描述
DIODE 3.3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

AZ23B3V3-E8 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.18Is Samacsys:N
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:500 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.3 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

AZ23B3V3-E8 数据手册

 浏览型号AZ23B3V3-E8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AZ23B3V3-E8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AZ23B3V3-E8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AZ23B3V3-E8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AZ23B3V3-E8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AZ23B3V3-E8的Datasheet PDF文件第9页 
AZ23 Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
18111  
Figure 12. Breakdown Characteristics  
18112  
Figure 13. Breakdown Characteristics  
www.vishay.com  
6
Document Number 85759  
Rev. 2, 15-Jul-03  

与AZ23B3V3-E8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AZ23-B3V3E9 VISHAY DIODE 3.3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage Reg

获取价格

AZ23-B3V3-E9 VISHAY Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB

获取价格

AZ23B3V3-E9 VISHAY DIODE 3.3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Vo

获取价格

AZ23B3V3-G VISHAY Small Signal Zener Diodes, Dual

获取价格

AZ23B3V3-G3-08 VISHAY Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

获取价格

AZ23B3V3-G3-18 VISHAY DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23

获取价格