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AZ23B3V0-G3-08

更新时间： 2024-01-31 23:22:34

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	124K
描述
Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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AZ23B3V0-G3-08 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.25
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
标称参考电压：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

AZ23B3V0-G3-08 数据手册

AZ23-G-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

10³

ΔV_Z

10²

R_zth= R_thAx V_Zx

T_j

I_F

R_zth

T_J= 100 °C

10²

10^-1

10^-2

T_J= 25 °C

10^-3

10^-4

10^-5

negative

positive

0.2

0.4

0.6

0.8

100 V

V_F

18114

18121

V_Zat I_Z= 5 mA

Fig. 1 - Forward Characteristics

Fig. 4 - Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage

100

500

400

R_zj

P_tot

300

200

100

T = 25 °C

I_Z^j= 5 mA

100

200 °C

100 V

18122

18115

V_Z

T_amb

Fig. 2 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Fig. 5 - Dynamic Resistance vs. Zener Voltage

mV/°C

10³

T_j= 25 °C

ΔV_Z

5 mA

1 mA

20 mA

R_zj

47 + 51

I_Z=

T_j

10²

- 5

100 V

0.1

18123

V_Z

18120

I_Z

Fig. 3 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

Fig. 6 - Temperature Dependence of Zener Voltage vs.

Zener Voltage

Rev. 1.4, 04-Mar-14

Document Number: 85867

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