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AZ23B3-E9

更新时间: 2024-01-15 23:30:02
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威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 358K
描述
DIODE 3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

AZ23B3-E9 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:2%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

AZ23B3-E9 数据手册

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AZ23 Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
18124  
18127  
Figure 7. Change of Zener voltage versus junction temperature  
Figure 10. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of  
thermal equilibrium versus Zener voltage  
°C  
18125  
18128  
Figure 8. Temperature dependence of Zener voltage versus Zener  
voltage  
Figure 11. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of  
thermal equilibrium versus Zener voltage  
18126  
Figure 9. Change of Zener voltage versus junction temperature  
Document Number 85759  
Rev. 2, 15-Jul-03  
www.vishay.com  
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