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AZ23B2V7-HE3-08

更新时间： 2024-02-05 11:31:24

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	130K
描述
DIODE ZENER 2.7V 300MW SOT23

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AZ23B2V7-HE3-08 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.24
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

AZ23B2V7-HE3-08 数据手册

AZ23-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

0.8

1.6

ΔV_Z= R_zthx I_Z

0.7

V_Zat I_Z= 5 mA

1.4

1.2

0.6

0.5

0.4

ΔV_Z

0.8

0.6

0.3

0.2

0.1

6.2

5.9

0.4

0.2

5.6

5.1

- 1

- 0.2

- 0.4

4.7

3.6

- 0.2

100 V

100 120 140 C

T_j

20 40 60 80

18127

18124

V_Zat I_Z= 5 mA

Fig. 7 - Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature

Fig. 10 - Change of Zener Voltage from Turn-on up to the Point of

Thermal Equilibrium vs. Zener Voltage

mV/°C

100

V_Z= R_zthx I_Z

I_Z= 5 mA

ΔV_Z

T_j

ΔV_Z

I_Z= 5 mA

I_Z= 2 mA

100 V

V_Z

18128

V_Z

18125

Fig. 8 - Temperature Dependence of Zener Voltage vs.

Fig. 11 - Change of Zener Voltage from Turn-on up to the Point of

Thermal Equilibrium vs. Zener Voltage

Zener Voltage

T = 25 °C

3.9

5.6

2.7

6.8

3.3 4.7

8.2

l_Z

ΔV

Test

current

I_Z5 mA

= 2 mA

- 1

20 40 60 80 100 120 140 °C

10 V

18126

18111

Fig. 9 - Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature

Fig. 12 - Breakdown Characteristics

Rev. 2.0. 27-Feb-18

Document Number: 85759

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