AUIRS21271STR

更新时间： 2024-01-14 07:47:02

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英飞凌 - INFINEON		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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描述
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AUIRS21271STR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP, SOP8,.25	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.56
内置保护：	OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出电流流向：	SINK
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	15 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	MOSFET Drivers	最大供电电压：	20 V
最小供电电压：	10 V	标称供电电压：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	0.275 µs
接通时间：	0.275 µs	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

AUIRS212(7,71,8,81)S

Description

The AUIRS2127S/AUIRS2128S/AUIRS21271S/AUIRS21281S are high voltage, high speed power MOSFET and

IGBT drivers. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.

The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3 V. The protection circuitry detects

over-current in the driven power transistor and terminates the gate drive voltage. An open drain FAULT signal is

provided to indicate that an over-current shutdown has occurred. The output drivers feature a high pulse current

buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel

power MOSFET or IGBT in the high- side or low-side configuration which operates up to 600 V.

www.irf.com

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