生命周期: | Transferred | 包装说明: | MICROWAVE, S-CXMW-F4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.23 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 5 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.18 A | FET 技术: | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带: | X BAND | JESD-30 代码: | S-CXMW-F4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | MICROWAVE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 0.43 W | 最小功率增益 (Gp): | 12 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | UNSPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ATF-10XXX | ETC |
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Low Noise Gallium Arsenide FET -- Reliability Data (20K in pdf) | |
ATF1210G1000BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G1001BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G1002BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G1003BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G10R0BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G1200BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G13R3BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G1500BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 | |
ATF1210G2002BT | FH |
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车规薄膜片式固定电阻器 |