Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> ATF-10736-TRI

ATF-10736-TRI

更新时间： 2024-01-24 05:37:38

品牌	Logo	应用领域
安捷伦 - AGILENT		/
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
0.5?12 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ATF-10736-TRI 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MICROWAVE, S-CXMW-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	5 V
最大漏极电流 (ID)：	0.18 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	S-CXMW-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	MICROWAVE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.43 W	最小功率增益 (Gp)：	12 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

ATF-10736-TRI 数据手册

0.5–12 GHz General Purpose

Gallium Arsenide FET

Technical Data

ATF-10736

Features

Description

36 micro-X Package

• High Associated Gain:

13.0 dBTypicalat4 GHz

The ATF-10736 is a high perfor-

mance gallium arsenide Schottky-

barrier-gate field effect transistor

housed in a cost effective

• LowBias:

V_DS=2V,I_DS=25 mA

microstrip package. Its noise

figure makes this device appropri-

ate for use in the gain stages of

low noise amplifiers operating in

the0.5-12GHzfrequencyrange.

• High Output Power:

20.0 dBmtypicalP _1dBat4 GHz

• Low Noise Figure:

1.2 dBTypicalat4 GHz

• Cost Effective Ceramic

Microstrip Package

This GaAs FET device has a

nominal 0.3 micron gate length

using airbridge interconcnects

between drain fingers. Total gate

periphery is 500 microns. Proven

gold based metallization systems

and nitride passivation assure a

rugged, reliable device.

• Tape-and-Reel Packaging

Option Available^[1]

Electrical Specifications, T_A= 25°C

Symbol

Parameters and Test Conditions

Optimum Noise Figure: V_DS= 2 V, I_DS= 25 mA

Units Min. Typ. Max.

NF_O

f=2.0GHz

f=4.0GHz

f=6.0GHz

0.9

1.2

1.4

G_A

Gain @ NF ; V_DS= 2 V, I_DS= 25 mA

f=2.0GHz

f=4.0GHz

f=6.0GHz

16.5

13.0

10.5

12.0

P_{1 dB}

Power Output @ 1 dB Gain Compression

V_DS=4V, I_DS=70mA

f=4.0GHz dBm

20.0

G_{1 dB}

g_m

1 dB Compressed Gain: V_DS= 4 V, I_DS= 70 mA

Transconductance: V_DS= 2 V, V_GS= 0 V

Saturated Drain Current: V_DS= 2 V, V_GS= 0 V

Pinchoff Voltage: V_DS= 2 V, I_DS= 1 mA

f=4.0GHz

mmho 70

12.0

140

130

-1.3

I_DSS

V_P

180

-0.5

-4.0

Note:

1. Refer to PACKAGING section, “Tape-and-Reel Packaging for Surface Mount Semiconductors.”

5-29

5965-8698E

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与ATF-10736-TRI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ATF-10XXX	ETC	获取价格	Low Noise Gallium Arsenide FET -- Reliability Data (20K in pdf)
ATF1210G1000BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G1001BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G1002BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G1003BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G10R0BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G1200BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G13R3BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G1500BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器
ATF1210G2002BT	FH	获取价格	车规薄膜片式固定电阻器

与ATF-10736-TRI相关文章

BSS123LT1资料解读：电气参数及替代型号推荐
2024-06-21

10
LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
2024-06-21

12
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
2024-06-21

8
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
2024-06-21

7

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ATF-10736-TRI

ATF-10736-TRI 技术参数

ATF-10736-TRI 数据手册

与ATF-10736-TRI相关器件

与ATF-10736-TRI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ATF-10736-TRI

ATF-10736-TRI 技术参数

ATF-10736-TRI 数据手册

与ATF-10736-TRI相关器件

与ATF-10736-TRI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？